近日，臺積電在2025年北美技術(shù)研討會上透露,，公司有望在今年下半年開始量產(chǎn)N2芯片,。

這將是臺積電首個依賴于全環(huán)繞柵極（GAA）納米片晶體管的生產(chǎn)技術(shù),。

根據(jù)當(dāng)前已知的信息，N2（即2nm工藝制程）作為臺積電的全新工藝技術(shù),，將提供全節(jié)點性能和功耗優(yōu)勢,，在相同功耗下速度提升10%-15%，或在相同速度下功耗提升20%-30%,。

這意味著,，N2與目前量產(chǎn)的N3相比，性能可以提高10%-15%,，功耗能降低25%-30%,。

同時，臺積電表示N2的晶體管性能接近目標(biāo),，256Mb SRAM模塊的平均良率也超過90%,，隨著N2走向量產(chǎn)，工藝成熟度將處于較高水平,。

最后,，臺積電還表示，N2及其衍生產(chǎn)品將進(jìn)一步鞏固他們的技術(shù)領(lǐng)先地位,，使臺積電能夠更好地把握未來增長機(jī)遇,。