近日，根據(jù)路透社消息，哈佛大學(xué)在當(dāng)?shù)貢r(shí)間7月5日向美國(guó)得克薩斯州東區(qū)地方法院提交起訴書(shū),，指控三星電子侵犯其技術(shù)專利,。

據(jù)悉,，指控認(rèn)為三星電子侵犯了由哈佛大學(xué)化學(xué)系教授Roy G. Gordon發(fā)明，校方受讓的兩項(xiàng)專利,，分別為“用于銅互連的氮化鈷層及其形成方法”與“氮化鎢的氣相沉積”,。

哈佛方面稱,，“這種薄膜對(duì)于計(jì)算機(jī)和手機(jī)等眾多產(chǎn)品的關(guān)鍵部件至關(guān)重要”,。

根據(jù)指控,，此次專利侵權(quán)涉及三星兩項(xiàng)產(chǎn)品的生產(chǎn)業(yè)務(wù),。

其中,，三星在代工驍龍8 Gen1的過(guò)程中,，未經(jīng)授權(quán)使用了哈佛有關(guān)氮化鈷薄膜制備相關(guān)的技術(shù),。

此外,，三星在生產(chǎn)LPDDR5X等內(nèi)存時(shí)，也未經(jīng)授權(quán)使用了哈佛大學(xué)鎢層沉積專利中至少一項(xiàng)權(quán)利要求的每個(gè)要素,。

對(duì)此，哈佛大學(xué)在起訴中要求三星電子停止侵權(quán)行為,，并支付賠償,。

目前，哈佛方面沒(méi)有公開(kāi)賠償金具體數(shù)額,，三星電子方面也暫未對(duì)此事做出公開(kāi)回應(yīng),。