根據(jù)海外媒體Sammobile消息,，三星計(jì)劃在6月于美國(guó)召開(kāi)的2024年晶圓代工論壇上,，正式公布其1nm制程工藝計(jì)劃。

據(jù)悉，該計(jì)劃將1nm的量產(chǎn)時(shí)間從原本的2027年提前到了2026年,。

按照這一時(shí)間規(guī)劃,，如果一切順利,，那么在1nm工藝問(wèn)世前,，三星將首先在2025年實(shí)現(xiàn)2nm“SF2”工藝的量產(chǎn)。

三星加速1nm工藝的信心,，來(lái)自于“Gate-All-Around（GAA）”電流控制技術(shù),，該技術(shù)能顯著降低晶體管的漏電流，提升芯片功率效率,。

值得一提的是,，臺(tái)積電方面也在積極布局1nm工藝相關(guān)的技術(shù)。

據(jù)悉,，臺(tái)積電計(jì)劃在2027年達(dá)到1.6nm的“A16節(jié)點(diǎn)”,，并在2027到2028年左右，實(shí)現(xiàn)1.4nm工藝的量產(chǎn),。

如果三星計(jì)劃2026年量產(chǎn)1nm的消息屬實(shí),，那么或許將在一定程度上影響臺(tái)積電的工藝發(fā)展計(jì)劃。