日前,，有媒體報(bào)道稱,，三星3nm制程工藝將在2024年下半年趨于成熟,。

同時(shí)，三星將開始大規(guī)模生產(chǎn)基于3nm制程工藝的Exynos處理器Exynos 2500,，由三星Galaxy S25系列首發(fā)搭載,。

據(jù)悉，在3nm制程上,，三星率先應(yīng)用了全環(huán)繞柵極工藝（GAA,，全稱Gate-All-AroundT），打破了FinFET技術(shù)的性能限制。

依靠這一工藝,，三星實(shí)現(xiàn)了通過降低工作電壓水平來提高能耗比,，同時(shí)通過增加驅(qū)動(dòng)電流增強(qiáng)芯片性能。

與5nm制程相比,，三星3nm GAA工藝可以使功耗降低45%,，性能提升23%，芯片面積減少16%,。