三星從未放棄自家旗艦芯片的打造,。

據(jù)外媒消息透露，三星已經(jīng)與Synopsys公司合作,，將練手打造下一代的3nm旗艦工藝制程芯片,，而Synopsys公司的出現(xiàn)就是為了最大限度的提升芯片良率。

三星帶來(lái)的這首款3nm工藝芯片將會(huì)采用Gate All Around（GAA）工藝,，三星GAA設(shè)計(jì)被稱為MCBFET,，即多信道橋式FET。

與傳統(tǒng)的3nm工藝制程芯片相比,，三星自家的3nm GAA設(shè)計(jì)的產(chǎn)品功率損耗可降低50%,，性能也將得到改善，與之前的4nm FinFET工藝相比,，能效和密度有著20%至30%的提升,。

按照產(chǎn)品線更新情況，這顆3nm芯片應(yīng)該就是傳聞中的Exynos 2500了,，將會(huì)在三星Galaxy S25系列上首發(fā)搭載,，對(duì)標(biāo)的競(jìng)品是驍龍8Gen4和聯(lián)發(fā)科天璣9400。