近日，臺(tái)媒科技新報(bào)稱，高通的下一代旗艦3nm處理器驍龍8 Gen4仍將由臺(tái)積電獨(dú)家代工,，而非此前傳言的臺(tái)積電和三星雙代工模式。

科技新報(bào)稱,，由于三星3nm產(chǎn)能的保守?cái)U(kuò)張計(jì)劃和良品率不理想，高通已正式取消明年由三星代工驍龍8 Gen4的計(jì)劃,。

根據(jù)今年9月高通泄露的資料,，驍龍8 Gen4將基于臺(tái)積電N3E工藝打造，未來(lái)可能會(huì)考慮使用三星SF2P工藝，此前,，博主@Revegnus也表達(dá)了類似的說(shuō)法,，并表示雙代工可能從驍龍8 Gen5開(kāi)始，而所有驍龍8 Gen4均由臺(tái)積電N3E工藝生產(chǎn),。

可以說(shuō),，在3nm上，三星又是起了個(gè)大早,，趕了個(gè)晚集,。

早在去年6月，三星就宣布基于3nm全環(huán)繞柵極(Gate-All-AroundT,簡(jiǎn)稱 GAA)制程工藝節(jié)點(diǎn)的芯片已經(jīng)開(kāi)始生產(chǎn),，這標(biāo)志著三星首次將創(chuàng)新的GAA架構(gòu)用于晶體管技術(shù),，也是當(dāng)時(shí)最早開(kāi)始量產(chǎn)3nm工藝的晶圓代工廠。

而第二代3nm工藝3GAP（SF3）將利用第二代MBCFET架構(gòu),，在第一代3nm SF3E的基礎(chǔ)上進(jìn)行優(yōu)化,，預(yù)計(jì)將于2024年開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)。

三星曾稱,，3nm GAA技術(shù)采用了寬通道的納米片,，與采用窄通道納米線的GAA 技術(shù)相比能提供更高的性能和能耗比，在3nm GAA技術(shù)上,， 三星能夠調(diào)整納米晶體管的通道寬度,，優(yōu)化功耗和性能，從而能夠滿足客戶的多元需求,，此外,，GAA的設(shè)計(jì)靈活性對(duì)設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化(DTCO) 非常有利，有助于實(shí)現(xiàn)更好的PPA優(yōu)勢(shì),。

與5nm工藝相比,，第一代3nm工藝可以使功耗降低45%，性能提升23%,，芯片面積減少16%,；而第二代3nm工藝則使功耗降低50%，性能提升30%,，芯片面積減少 35%。