近日，臺積電米玉傑博士透露,，臺積電將在 2024 年取得 ASML 下世代極紫外光微影設(shè)備（high-NA EUV）,，為客戶發(fā)展相關(guān)的基礎(chǔ)設(shè)施與架構(gòu)解決方案。

臺積電業(yè)務(wù)開發(fā)副總裁張曉強(qiáng)之前曾經(jīng)表示,，取得設(shè)備后,，初期主要用于與合作伙伴共同研究。

從之前公布的信息來看,，High-NA EUV 光刻設(shè)備的單價估計為 4 億美元（約 28 億元人民幣），是現(xiàn)有 EUV 光刻設(shè)備的兩三倍,。

此前,，三星電子副董事長李在镕此前與 ASML 公司就引進(jìn)該荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備制造商的下一代極紫外（EUV）光刻設(shè)備進(jìn)行了會談，并就引進(jìn)今年生產(chǎn)的 EUV 光刻設(shè)備和計劃于明年推出的高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV 光刻設(shè)備達(dá)成了協(xié)議,。

今年早些時候,，英特爾還宣布已簽署合同購買 5 臺這種設(shè)備（TWINSCAN NXE:3600D），用于在 2025 年生產(chǎn) 1.8 納米芯片,。

臺積電也在 6 月 16 日的美國硅谷技術(shù)研討會上表示,，它將在 2024 年在全球首次將 High-NA EUV 光刻設(shè)備引入其工藝。

目前 ASML 每臺機(jī)器的成本高達(dá) 1.6 億美元,，而各大芯片制造商還計劃在未來幾年投資逾 1000 億美元建造額外的制造廠,，以滿足進(jìn)一步的半導(dǎo)體需求。

曾有消息稱,，這種 High-NA 機(jī)器將比現(xiàn)有機(jī)器大 30%,，而之前的機(jī)器已經(jīng)大到難以想象,，甚至需要三架波音 747 來裝載它們。

臺積電此前宣布,，其目標(biāo)是在 2025 年量產(chǎn)其 N2 工藝,，與 3nm 制程節(jié)點不同，2nm 制程節(jié)點將使用 Gate-all-around FETs（GAAFET）晶體管,，臺積電稱相比 3nm 工藝會有 10% 到 15% 的性能提升,，還可以將功耗降低 25% 到 30%。預(yù)計 N2 工藝于 2024 年末將做好風(fēng)險生產(chǎn)的準(zhǔn)備,，并在 2025 年末進(jìn)入大批量生產(chǎn),，客戶在 2026 年就能收到首批芯片。